InGaP nano lifleri ilk olarak n-Si substratları üzerinde, sabit voltaj (25 kV), yükseklik (6 cm) ve akış hızı (0.3 mL / s) ve farklı işlem sürelerinde (10, 20, 25 dakika) uygulanan elektrospinleme yöntemiyle oluşturulmuştur. Hazırlanan numunelerin karakterizasyonu, X-ışını difraksiyonu (XRD), diferansiyel taramalı kalorimetre / termal gravimetrik analiz (DSC / TGA), Taramalı elektron mikroskobu (SEM) ve enerji dağıtıcı X-ışını spektrometresi (EDX) ile yapıldı. Ayrıca, InGaP / n-Si örneklerinin akım-gerilim ölçümleri yapılmıştır. Elde edilen sonuçlar, üç kalınlıkta InGaP katmanı ile üretilen tüm InGaP / n-Si örneklerinin I-V özelliklerinin, teori ile iyi bir uyum içinde olduklarını ve aynı zamanda rektifiye edici özellikler sergilediklerini göstermiştir. Anahtar Kelimeler‐ Nano lifler, InGaP, Elektrospinning.
InGaP nanofibers were firstly formed on n-Si substrates by electrospinning method applying constant voltage (25 kV), height (6 cm), and flow rate (0.3 mL/h) and at different process times (10, 20, 25 minutes). Characterization of the prepared samples was performed by X-ray diffraction (XRD), the differential scanning calorimetry/the thermal gravimetric analysis (DSC/TGA), Scanning electron microscopy (SEM), and energy dispersive X-ray spectrometer (EDX). Furthermore, the current-voltage measurements of the InGaP/n-Si samples have been carried out. The obtained results have shown that I-V characteristics of all the InGaP/n-Si samples fabricated with three thicknesses of InGaP layers are rather in a good agreement with the theory and that they also have exhibited rectifying properties. Keywords‐ Nanofibers, InGaP, Electrospinning.
Tez (Yüksek Lisans) - Süleyman Demirel Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı, 2019.
Kaynakça var.
InGaP nano lifleri ilk olarak n-Si substratları üzerinde, sabit voltaj (25 kV), yükseklik (6 cm) ve akış hızı (0.3 mL / s) ve farklı işlem sürelerinde (10, 20, 25 dakika) uygulanan elektrospinleme yöntemiyle oluşturulmuştur. Hazırlanan numunelerin karakterizasyonu, X-ışını difraksiyonu (XRD), diferansiyel taramalı kalorimetre / termal gravimetrik analiz (DSC / TGA), Taramalı elektron mikroskobu (SEM) ve enerji dağıtıcı X-ışını spektrometresi (EDX) ile yapıldı. Ayrıca, InGaP / n-Si örneklerinin akım-gerilim ölçümleri yapılmıştır. Elde edilen sonuçlar, üç kalınlıkta InGaP katmanı ile üretilen tüm InGaP / n-Si örneklerinin I-V özelliklerinin, teori ile iyi bir uyum içinde olduklarını ve aynı zamanda rektifiye edici özellikler sergilediklerini göstermiştir. Anahtar Kelimeler‐ Nano lifler, InGaP, Elektrospinning.
InGaP nanofibers were firstly formed on n-Si substrates by electrospinning method applying constant voltage (25 kV), height (6 cm), and flow rate (0.3 mL/h) and at different process times (10, 20, 25 minutes). Characterization of the prepared samples was performed by X-ray diffraction (XRD), the differential scanning calorimetry/the thermal gravimetric analysis (DSC/TGA), Scanning electron microscopy (SEM), and energy dispersive X-ray spectrometer (EDX). Furthermore, the current-voltage measurements of the InGaP/n-Si samples have been carried out. The obtained results have shown that I-V characteristics of all the InGaP/n-Si samples fabricated with three thicknesses of InGaP layers are rather in a good agreement with the theory and that they also have exhibited rectifying properties. Keywords‐ Nanofibers, InGaP, Electrospinning.