CdOand CdO:Ga films were produced usingthe ultrasonic spray pyrolysis method. The structural, optical andelectrical properties of produced films were defined byx-ray diffraction pattern (XRD), UV–VIS spectrophotometer and electricalmeasurements, respectively. The XRD patterns show that all thefilms deposited at 275 ±5 °C are inface center cubic polycrystalline structure. The optic band gaps of Ga dopedfilms were obtained with the optical method and observed to change from 2.50 to2.66 eV with the increase of Ga doping. Additionally, the resistivity,conductivity and I–V characteristics of the samples are investigated with fourpoint and two point probe methods. It is clearly seen that the electricalproperties of CdO have improved with the appropriate Ga doping. The bestconductivity was obtained with 4% and 8% Ga doping of CdO films.  CdO ve CdO:Ga filmleri ultrasonik sprey pirolizmetodu kullanılarak üretilmiştir. Üretilen filmlerin yapısal, optiksel veelektriksel özellikleri sırasıyla, x ışını kırınım deseni (XRD), UV-VIS spektrofotometresive elektriksel ölçümleri ile tanımlanmıştır. XRD desenleri 275 ±5 °Csıcaklığında biriktirilen bütün filmlerin yüzeymerkezli kübik polikristal yapıya sahip olduğunu göstermektedir. Ga katkılıfilmlerin optik band aralıkları optik metod ile elde edildi ve Ga katkısınınartması ile 2.50 eV’den 2.66 eV’a değiştiği gözlenmiştir. Bunlara ek olarak,örneklerin özdirençleri, iletkenlikleri ve I – V karakteristikleri dört noktaprob ve iki nokta prob metodları ile incelendi. Ga’un uygun katkısı ile CdO’nunelektriksel özelliklerini geliştirdiği açıkça görülmüştür. En iyi iletkenliğin CdOfilmlerinin %4 ve %8 Ga katkısıyla elde edildi.