| dc.creator |
Özdemir Öge, Tuba,
1981-
author
15648 |
|
| dc.creator |
Özkorucuklu, Suat,
1969-
thesis advisor
9401 |
|
| dc.creator |
Süleyman Demirel Üniversitesi.
Fen Bilimleri Enstitüsü.
Fizik Anabilim Dalı.
9075
issuing body |
|
| dc.date |
2011. |
|
| dc.identifier |
http://tez.sdu.edu.tr/Tezler/TF01654.pdf |
|
| dc.description |
Silikon tabanlı cihazlar (piksel sensörler, silikon mikro-şerit detektörler, CMOS yapılar) son yıllarda hızlandırıcılarda, nükleer ve yüksek enerji fiziği deneylerinde, medikal görüntüleme alanında, dozimetrelerde, yüklü parçacıkların tayini ve teşhisinde sıklıkla kullanılmaktadır. İyonize edici radyasyona cevap veren silikon tabanlı cihazların benzetiminde; uygulama voltajı, geometrik boyutlar ve katkılama değerleri gibi birçok teknolojik parametrelerin fonksiyonu belirlenerek sinyal, uzaysal ve enerji çözünürlüğü açısından performanslarını anlamak önemlidir. Bu tezde, farklı boyut, yapı ve depolama oranlarına sahip birkaç silikon detektörün modelleme çalışmaları yapılmıştır. Bu modelleme çalışmaları silikon tabanlı detektörlerde; enerji kaybı, yük dağılımı, kapasite hesabı, sinyal oluşumu, voltaj düşüsü ve I-V grafikleri üzerine yapılmıştır. Anahtar Kelimeler: Yarı-iletken, Silikon Detektör, Cihaz Benzetimi, Bilgisayar Destekli Tasarım (CAD), Simülatör. |
|
| dc.description |
In recent years, silicon based devices such as pixel sensors, silicon micro-strip detectors and CMOS structures have been used in accelerators, nuclear and high energy physics, medical imaging, dosimetry, idendification and diagnostics of charged particles. In the simulation studies, it is important to understand the response of silicon-based devices to ionizing radiation with respect to applied voltage, geometric dimensions and doping concentration as the function of many technological parameters in terms of spatial, energy resolution, signal and noise ratio. In this thesis, simulation studies carried out on a few silicon based detectors for different size, structure and doping concentration. These simulation studies are based on energy loss, charge distribution, capacitance, signal formation, voltage drops and I-V graphics for the silicon based detectors. Keywords: Semiconductor, Silicon Detector, Device Simulation, Computer Aided Design (CAD), Simulator. |
|
| dc.description |
Tez (Doktora)- Süleyman Demirel Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı, 2011. |
|
| dc.description |
Kaynakça var. |
|
| dc.description |
Silikon tabanlı cihazlar (piksel sensörler, silikon mikro-şerit detektörler, CMOS yapılar) son yıllarda hızlandırıcılarda, nükleer ve yüksek enerji fiziği deneylerinde, medikal görüntüleme alanında, dozimetrelerde, yüklü parçacıkların tayini ve teşhisinde sıklıkla kullanılmaktadır. İyonize edici radyasyona cevap veren silikon tabanlı cihazların benzetiminde; uygulama voltajı, geometrik boyutlar ve katkılama değerleri gibi birçok teknolojik parametrelerin fonksiyonu belirlenerek sinyal, uzaysal ve enerji çözünürlüğü açısından performanslarını anlamak önemlidir. Bu tezde, farklı boyut, yapı ve depolama oranlarına sahip birkaç silikon detektörün modelleme çalışmaları yapılmıştır. Bu modelleme çalışmaları silikon tabanlı detektörlerde; enerji kaybı, yük dağılımı, kapasite hesabı, sinyal oluşumu, voltaj düşüsü ve I-V grafikleri üzerine yapılmıştır. Anahtar Kelimeler: Yarı-iletken, Silikon Detektör, Cihaz Benzetimi, Bilgisayar Destekli Tasarım (CAD), Simülatör. |
|
| dc.description |
In recent years, silicon based devices such as pixel sensors, silicon micro-strip detectors and CMOS structures have been used in accelerators, nuclear and high energy physics, medical imaging, dosimetry, idendification and diagnostics of charged particles. In the simulation studies, it is important to understand the response of silicon-based devices to ionizing radiation with respect to applied voltage, geometric dimensions and doping concentration as the function of many technological parameters in terms of spatial, energy resolution, signal and noise ratio. In this thesis, simulation studies carried out on a few silicon based detectors for different size, structure and doping concentration. These simulation studies are based on energy loss, charge distribution, capacitance, signal formation, voltage drops and I-V graphics for the silicon based detectors. Keywords: Semiconductor, Silicon Detector, Device Simulation, Computer Aided Design (CAD), Simulator. |
|
| dc.language |
tur |
|
| dc.publisher |
Isparta : SDÜ Fen Bilimleri Enstitüsü, |
|
| dc.subject |
Süleyman Demirel Üniversitesi |
|
| dc.title |
Silikon detektörlerde benzetim, modelleme ve analiz süreçleri = The simulation, modelling and analysis process in the silicon detectors / |
|
| dc.type |
text |
|