| dc.creator |
Göksu, Tuna,
1974-
author
23749 |
|
| dc.creator |
Özdemir, Ahmet Faruk,
1970-
thesis advisor
15212 |
|
| dc.creator |
Süleyman Demirel Üniversitesi.
Fen Bilimleri Enstitüsü.
Fizik Anabilim Dalı.
9075
issuing body |
|
| dc.date |
2013. |
|
| dc.identifier |
http://tez.sdu.edu.tr/Tezler/TF02253.pdf |
|
| dc.description |
Bu tez çalışmasında, DC magnetron püskürtme yöntemi ile farklı metal kalınlıklarına sahip Ti/n-GaAs/In Schottky diyot numuneleri üretildi. Numunelerin elektriksel karakteristikleri 60-320 K derece sıcaklık aralığında incelendi. Sıcaklık 20 K derecelik basamaklarla değiştirilirken her bir numune için akım-gerilim ölçümleri yapıldı. Yapılan ölçümlerden, üretilen Schottky diyot numunelerinin idealite faktörü, potansiyel engel yüksekliği ve seri direnç gibi temel elektriksel parametreleri sıcaklığa bağlı olarak hesaplandı.Üretilen numunelerin idealite faktörleri 140-320 K sıcaklığı arasında 1,01 ile 1,10 arasında neredeyse değişmeyen değerlere sahiptir. Bu durum deneysel verilerin numune sıcaklığından bağımsız olduğuna ve 140 K üzeri sıcaklıklarda termo-iyonik emisyon modeline iyi uyduğuna yorumlanabilir. Öte yandan aynı sıcaklık aralığında numunelerin engel yükseklikleri sıcaklığın düşmesi ile az miktarda artmıştır. Aynı şekilde seri direnç için de azalan sıcaklık ile bir artış görülmüştür.Artan metal kalınlığının engel yüksekliğini azalttığı, idealite faktöründe görülür bir değişime sebebiyet vermediği, seri direnci ise arttırdığı görülmüştür. Elde edilen neticelerin literatürle uyumlu olduğu tespit edilmiştir. Anahtar Kelimeler: Schottky diyotlar, Termo-iyonik emisyon, Norde fonksiyonu, GaAs, Engel yüksekliği, Metal kalınlığı. |
|
| dc.description |
In this thesis we have measured the I–V characteristics of Ti/n-GaAs/In Schottky barrier diodes (SBDs) in the temperature range of 60–320 K by the steps of 20 K. The SBDs with different metal thicknesses have been prepared by DC magnetron sputtering. From the I–V characteristics of the Schottky diodes, ideality factor, barrier height and series resistance values have obtained with respect to temperature.The ideality factors of the devices have remained almost unchanged between 1.01 and 1.10 from 140 to 320 K. Therefore, it has been said that the experimental I–V data are almost independent of the sample temperature and quite well obey the thermionic emission (TE) model at temperatures above 140 K. Furthermore, the barrier height (BH) slightly increased with a decrease in temperature, 320–140 K. Series resistance values have also increased with the decreasing temperature.Barrier height values have decreased with the increasing metal thickness while ideality factor remained unchanged and series resistance values have increased. Results have been found to be consistent with those in the literature. Keywords: Schottky diodes, Thermionic emission, Norde’s function, GaAs, Barrier height, Metal thickness. |
|
| dc.description |
Tez (Doktora) - Süleyman Demirel Üniversitesi, Fen Bilimleri Fizik Anabilim Dalı, 2013. |
|
| dc.description |
Kaynakça var. |
|
| dc.description |
Bu tez çalışmasında, DC magnetron püskürtme yöntemi ile farklı metal kalınlıklarına sahip Ti/n-GaAs/In Schottky diyot numuneleri üretildi. Numunelerin elektriksel karakteristikleri 60-320 K derece sıcaklık aralığında incelendi. Sıcaklık 20 K derecelik basamaklarla değiştirilirken her bir numune için akım-gerilim ölçümleri yapıldı. Yapılan ölçümlerden, üretilen Schottky diyot numunelerinin idealite faktörü, potansiyel engel yüksekliği ve seri direnç gibi temel elektriksel parametreleri sıcaklığa bağlı olarak hesaplandı.Üretilen numunelerin idealite faktörleri 140-320 K sıcaklığı arasında 1,01 ile 1,10 arasında neredeyse değişmeyen değerlere sahiptir. Bu durum deneysel verilerin numune sıcaklığından bağımsız olduğuna ve 140 K üzeri sıcaklıklarda termo-iyonik emisyon modeline iyi uyduğuna yorumlanabilir. Öte yandan aynı sıcaklık aralığında numunelerin engel yükseklikleri sıcaklığın düşmesi ile az miktarda artmıştır. Aynı şekilde seri direnç için de azalan sıcaklık ile bir artış görülmüştür.Artan metal kalınlığının engel yüksekliğini azalttığı, idealite faktöründe görülür bir değişime sebebiyet vermediği, seri direnci ise arttırdığı görülmüştür. Elde edilen neticelerin literatürle uyumlu olduğu tespit edilmiştir. Anahtar Kelimeler: Schottky diyotlar, Termo-iyonik emisyon, Norde fonksiyonu, GaAs, Engel yüksekliği, Metal kalınlığı. |
|
| dc.description |
In this thesis we have measured the I–V characteristics of Ti/n-GaAs/In Schottky barrier diodes (SBDs) in the temperature range of 60–320 K by the steps of 20 K. The SBDs with different metal thicknesses have been prepared by DC magnetron sputtering. From the I–V characteristics of the Schottky diodes, ideality factor, barrier height and series resistance values have obtained with respect to temperature.The ideality factors of the devices have remained almost unchanged between 1.01 and 1.10 from 140 to 320 K. Therefore, it has been said that the experimental I–V data are almost independent of the sample temperature and quite well obey the thermionic emission (TE) model at temperatures above 140 K. Furthermore, the barrier height (BH) slightly increased with a decrease in temperature, 320–140 K. Series resistance values have also increased with the decreasing temperature.Barrier height values have decreased with the increasing metal thickness while ideality factor remained unchanged and series resistance values have increased. Results have been found to be consistent with those in the literature. Keywords: Schottky diodes, Thermionic emission, Norde’s function, GaAs, Barrier height, Metal thickness. |
|
| dc.language |
tur |
|
| dc.publisher |
Isparta : Süleyman Demirel Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, |
|
| dc.subject |
Süleyman Demirel Üniversitesi |
|
| dc.title |
Schottky metal kalınlığına bağlı olarak hazırlanan Ti/n-GaAs Schottky kontakların Sıcaklık bağımlı karakteristiklerinin belirlenmesi = Determination of temperature-dependent characteristics of Schottky metal-thickness Ti/n-GaAs Schottky contacts / |
|
| dc.type |
text |
|