| dc.creator |
AKÇAY, Namık; İstanbul Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü |
|
| dc.date |
2018-11-30T00:00:00Z |
|
| dc.date.accessioned |
2019-07-09T11:48:27Z |
|
| dc.date.available |
2019-07-09T11:48:27Z |
|
| dc.identifier |
http://dergipark.org.tr/sdufeffd/issue/40584/462245 |
|
| dc.identifier |
10.29233/sdufeffd.462245 |
|
| dc.identifier.uri |
http://acikerisim.sdu.edu.tr/xmlui/handle/123456789/45678 |
|
| dc.description |
Bu çalışmada, p-tipi Silisyum(p-Si) üzerine katkısız Çinko Oksit (ZnO) ve %2 Alüminyum katkılı çinko oksit(ZnOAl) kaplanarak oluşturulan heteroeklemlerin elektriksel özellikleriincelenmiştir. ZnO ve ZnOAl nanoparçacıklar Sol-Jel yöntemi ile sentezlenmiş veZnO/p-Si, ZnOAl/p-Si heteroeklemleri döndürme kaplama tekniği ileoluşturulmuştur. Kaplama sonrası örneklere 450 oC’de 30 dk termaltavlama işlemi uygulanmıştır. 10K-300K aralığında alınan Akım-Voltaj (I-V) veKapasite-Voltaj (C-V) ölçümleri örneklerin çok düşük sızıntı akımına sahipdiyot davranışı sergilediğini göstermektedir. C-V ölçüm sonuçlarından diyotların bariyer yüksekliği (Vbi) ve taşıyıcıkonsantrasyonları (Nd)hesaplandı. Derin seviyegeçiş spektroskopisi (DLTS) tekniği ile arınma bölgesi civarında bulunan tuzakseviyeleri araştırılmıştır. Her iki örnekte de elektron tuzaklarının varlığıtespit edilmiştir. |
|
| dc.description |
In this work, the electrical properties of heterojunctions formed by coating of undopedZinc Oxide (ZnO) and 2% Aluminum doped zinc oxid (AZO) on p-type silicon (p-Si) wereinvestigated. ZnO and AZO nanoparticles were synthesized by Sol-Gel method and ZnO / p-Si,ZnO (Al) / p-Si heterojunctions were formed by spin coating technique. After the coating, thesamples were thermally annealed at 450 oC for 30 minutes. Current-Voltage (I-V) andCapacitance-Voltage (C-V) measurements taken at 10K-300K show that the samples exhibitdiode behavior with very low leakage current. Built-in potential (Vbi) and carrier concentrations(Nd) of diodes were calculated from C-V measurement results. Deep level transition spectroscopy(DLTS) technique was used to investigate trap levels around the depletion region. The presenceof electron traps in both samples was determined. |
|
| dc.format |
application/pdf |
|
| dc.language |
tr |
|
| dc.publisher |
Süleyman Demirel University |
|
| dc.publisher |
Süleyman Demirel Üniversitesi |
|
| dc.relation |
http://dergipark.org.tr/download/article-file/582035 |
|
| dc.source |
Volume: 13, Issue: 2
121-131 |
en-US |
| dc.source |
1306-7575 |
|
| dc.subject |
ZnO ince film,Al katkılama,ZnO/p-Si heteroeklemi,DLTS |
|
| dc.subject |
ZnO thin film,Al doping,ZnO/p-Si heterojunction,DLTS |
|
| dc.title |
Sol-Jel Yöntemi ile Üretilen ZnO(Al)/p-Si Heteroekleminin Elektriksel Karakterizasyonu |
en-US |
| dc.title |
Electrical Characterization of ZnO (Al) / p-Si Heterojunctions Fabricated by SolGel Method |
en-US |
| dc.type |
info:eu-repo/semantics/article |
|