In this study,the electron density, state density and band structure of the ideal and buckledgraphenes have been obtained via WIEN2k software. This study involves 2x2x1,2x3x1 and 3x2x1 dimensions of ideal and buckled graphenes. For each nanoribbon100, 200, 300 and 500 k points have been used. Electronic state density and bandstructures demonstrate the fact that the crystal displays semiconductive properties.The forbidden band gap of ideal and non-ideal crystals displaying semiconductivebehaviors is bigger in non-ideal (buckled) crystal than the ideal one. The forbiddenband gap observed in ideal grapheme which is quite close to zero value provesthe tendency of the material towards the metal properties. However, in generalterms the forbidden band gap of buckled graphene which is distinctive with its semiconductivebehavior is approximately between 0.7 and 1.9 eV.Buçalışmada WIEN2k bilgisayar programı kullanılarak ideal ve bükülmüş grafeninelektron yoğunluğu, durum yoğunluğu ve band yapısı elde edilmiştir. Burada idealve bükülmüş grafenin 2x2x1, 2x3x1 ve 3x2x1 boyutları çalışılmıştır.Her bir nanoşerit için 100, 200, 300 ve 500 k noktası kullanılmıştır. Elektronik durum yoğunluğu ve bandyapıları, kristalin yarıiletken özellik sergilediğini göstermektedir.Yarıiletken özellik gösteren ideal ve ideal olmayan kristallerin yasak bandaralığı, ideale göre ideal olmayan (bükülmüş) kristalde daha büyüktür. İdealgrafende gözlenen sıfıra çok yakın yasak band aralığı malzemenin metalözelliğine yatkınlığını ortaya koymaktadır. Ancak, genel anlamda, yarıiletkenözelliğinin dikkat çektiğini gördüğümüz bükülmüş grafenin yasak band aralığıyaklaşık 0.7-1.9 eV aralığında değer almıştır.