Bu çalışmada, p-tipi Silisyum(p-Si) üzerine katkısız Çinko Oksit (ZnO) ve %2 Alüminyum katkılı çinko oksit(ZnOAl) kaplanarak oluşturulan heteroeklemlerin elektriksel özellikleriincelenmiştir. ZnO ve ZnOAl nanoparçacıklar Sol-Jel yöntemi ile sentezlenmiş veZnO/p-Si, ZnOAl/p-Si heteroeklemleri döndürme kaplama tekniği ileoluşturulmuştur. Kaplama sonrası örneklere 450 oC’de 30 dk termaltavlama işlemi uygulanmıştır. 10K-300K aralığında alınan Akım-Voltaj (I-V) veKapasite-Voltaj (C-V) ölçümleri örneklerin çok düşük sızıntı akımına sahipdiyot davranışı sergilediğini göstermektedir. C-V ölçüm sonuçlarından diyotların bariyer yüksekliği (Vbi) ve taşıyıcıkonsantrasyonları (Nd)hesaplandı. Derin seviyegeçiş spektroskopisi (DLTS) tekniği ile arınma bölgesi civarında bulunan tuzakseviyeleri araştırılmıştır. Her iki örnekte de elektron tuzaklarının varlığıtespit edilmiştir.In this work, the electrical properties of heterojunctions formed by coating of undopedZinc Oxide (ZnO) and 2% Aluminum doped zinc oxid (AZO) on p-type silicon (p-Si) wereinvestigated. ZnO and AZO nanoparticles were synthesized by Sol-Gel method and ZnO / p-Si,ZnO (Al) / p-Si heterojunctions were formed by spin coating technique. After the coating, thesamples were thermally annealed at 450 oC for 30 minutes. Current-Voltage (I-V) andCapacitance-Voltage (C-V) measurements taken at 10K-300K show that the samples exhibitdiode behavior with very low leakage current. Built-in potential (Vbi) and carrier concentrations(Nd) of diodes were calculated from C-V measurement results. Deep level transition spectroscopy(DLTS) technique was used to investigate trap levels around the depletion region. The presenceof electron traps in both samples was determined.