n-AgInSe2/p-Siheterojunction diode was fabricated by a successive layer deposition of AgInSe2thin film on p-type Si. The idealityfactor and saturation current of the diode exhibited temperature dependentbehaviour. The activation energy was calculated by using traditional activationenergy plot. The current mechanism for diode was determined as defect-assistedtunnelling and carrier recombination. Furthermore, a modified Horvath methodwhich was firstly presented for n-AgInSe2/p-Si heterojunction here was used forcalculation of activation energy.n-AgInSe2/p-Si heteroeklem diyodu, AgInSe2ince filminin, p-tipi Si üzerine ardıl tabaka biriktirme yöntemi ile imaledilmiştir. Diyodun idealite çarpanı ve doyma akımı sıcaklık bağlı davranışgöstermiştir. Aktivasyon enerjisi, geleneksel aktivasyon enerji grafiğikullanılarak hesaplanmıştır. Akım mekanizmaları kusur-destekli tünelleme vetaşıyıcı rekombinasyonu olarak belirlenmiştir. Ayrıca aktivasyon enerjisinihesaplamak için değiştirilmiş Horvath yöntemi, n-AgInSe2/p-Siheteroeklemi için ilk defa burada sunulmuştur.