Harvester systems are seen as an effective solution method for low powerconsumption circuits. These systems can be used with low power consumptioncommunication system (ZigBee and wireless sensors) to extend the battery life.These systems are consist of: (a) a miniaturized antenna, (b) a highperformance rectifier circuit. The first component gathersthe RF signals in environment while the second component rectifies the signalsto a DC current. Herein, design of a dual band Greinacher rectifier circuit for2.4 and 2.7 GHz applications is studied. L-C type circuits and microstrip stubstructures are used for matching layer. The symmetrical structure ofGreincacher rectifier provides reduction in harmonics of diodes. As it can beseen from simulation results, for an input power of 10 dBm a voltage of 4.02VDC voltage on a 100 Kohm load resistor, and for an input power of 0 dBm with avariable load resistor of 100-100K ohm -5~15 dBm is obtained. Designs andspecifications were obtained by simulations performed in AWRsoftware. Thus, byusing the DC voltage that is rectified by the RF harvester it is possible tosupply low power sensors or extend the battery life of the systems.
Enerji hasatlama sistemleri günümüzde yeni bir enerji kaynağı olarakadlandırılmakta ve ortamda bulunan mevcut elektromanyetik enerjininkullanılmasını hedeflemektedir. Enerji hasatlama sistemleri, düşük güçtüketimine sahip cihazlar için etkili bir çözüm olarak ortaya çıkmaktadır. Busistemlerinin temel amacı, düşük güç tüketimine sahip haberleşme sistemleri(ZigBee teknolojileri ve Kablosuz sensör ağları) ile birlikte kullanılıpbatarya ömrünü uzatmaktır. Bu sistemlerin temel bileşenleri şunlardır: (1)minyatür anten ve (2) yüksek verimli doğrultucu devresi. Birinci bileşenortamdaki RF dalgalarını toplarken, ikincisi ise toplanan RF enerjisinidoğrultarak DC'ye çevirir.Bu çalışmada 2.4GHz ve 2.7GHz frekanslarında çalışançift bandlı Greinacher doğrultucu devre tasarımı önerilmiştir. Uyumlandırmakatında L-C ve mikroşerit Stub yapıları kullanılmıştır. Greinacher doğrultucudevresinin simetrik yapısı, diyotlar tarafından üretilen harmoniğin azalmasınayardımcı olmaktadır. Yapılan simülasyon sonuçlarına göre, 10dBm giriş gücünekarşılık çıkışta 100 Kohm’luk yük direncinde 4,023V’luk bir DC gerilim eldeedilmiştir. 0dBm’lik giriş gücünde ise LTE frekansında 100ohm ile 100Kohmarasında değişen yük dirençlerinde -5 ile -15dBm arasında güç değerleri eldeedilmiştir. Doğrultucudan elde edilen DC gerilim kullanılarak düşük güçtüketimine sahip sensörler ve sensör ağları beslenebilir ya da DC gerilimdepolanarak pil ömrü uzatılabilir.