Tetragonal yapıdaki SnO2 ince filmleri(100) yönelimli n-tipi Si ve korning cam alttaşlar üzerine oda sıcaklığında RFmagnetron püskürtme tekniği ile büyütüldü. Büyütülen yapıların atomik dağılımıve arayüzey durumları, İkincil İyon Kütle Spektrometresi analizlerinden eldeedilen derinlik profili spektrumları ile değerlendirildi. Film derinliğiboyunca Sn ve O atomik dağılımının homojen dağılım sergilediği görüldü. Bununlabirlikte, Si alttaş üzerine büyütülen SnO2 filmi ile Si alttaşarasında çok ince bir SiO2 tabakasının oluştuğu, hassas bir şekildeSIMS tekniği ile belirlendi. Oluşan SiO2 ara-tabaka kalınlığının,püskürtme kinetiğine -RF büyütme gücüne- bağlı olduğu belirlendi.SnO2 thinfilms having tetragonal structure were grown on (100) oriented n-type Si andcorning glass substrates at room temperature with RF magnetron sputteringtechnique. The atomic distribution and interfacial evaluation of the depositedstructures were evaluated with the depth profile spectra obtained by the SecondaryIon Mass Spectrometer. It was seen that the atomic distribution of Sn and Oshowed a uniform distribution throughout the film depth. However, it wasprecisely determined by SIMS technique that an ultra-thin SiO2 layerwas formed between the SnO2 film, which was deposited on Si, and Sisubstrate. The formed SiO2 interlayer thickness was determined to bedependent on the sputtering kinetics i.e. RF deposition power.